저온 폴리실리콘 기술 LTPS(저온 폴리실리콘)는 원래 Note-PC 디스플레이의 에너지 소비를 줄이고 Note-PC를 더 얇고 가볍게 만들기 위해 일본과 북미 기술 회사에서 개발되었습니다.1990년대 중반에 이 기술은 시험 단계에 들어갔습니다. 차세대 유기 발광 패널 OLED에서 파생된 LTPS도 1998년에 공식적으로 사용되었습니다. 가장 큰 장점은 초박형, 경량, 저전력입니다. 소비하면 더욱 화려한 색상과 선명한 이미지를 제공할 수 있습니다.
저온 폴리실리콘
TFT LCD다결정 실리콘(Poly-Si TFT)과 비정질 실리콘(a-Si TFT)으로 나눌 수 있는데, 둘 사이의 차이점은 서로 다른 트랜지스터 특성에 있습니다. 폴리실리콘의 분자 구조는 그레인(Grain)으로 깔끔하고 지시적으로 배열되어 있으므로 전자 이동도는 비정질 실리콘보다 200~300배 빠릅니다. 일반적으로 다음과 같이 알려져 있습니다.TFT-LCD주류 LCD 제품을 위한 성숙한 기술인 비정질 실리콘을 말합니다. 폴리실리콘은 주로 고온 폴리실리콘(HTPS)과 저온 폴리실리콘(LTPS)의 두 가지 제품을 포함합니다.
저온 폴리실리콘, 저온 폴리실리콘, LTPS(박막 트랜지스터 액정 디스플레이)는 패키징 공정에서 엑시머 레이저를 열원으로 사용합니다. 레이저 광이 투사 시스템을 통과한 후 균일한 에너지 분포를 갖는 레이저 빔이 비정질 실리콘 구조의 유리 기판에 생성되어 투사됩니다. 비정질 실리콘 구조의 유리 기판이 엑시머 레이저의 에너지를 흡수한 후 폴리실리콘 구조로 변형됩니다. 전체 공정은 600℃에서 완료되므로 일반적으로 유리 기판을 적용할 수 있습니다.
C특징적인
LTPS-TFT LCD는 고해상도, 빠른 반응 속도, 고휘도, 높은 개구율 등의 장점을 가지고 있습니다. 또한 실리콘 결정 배열로 인해LTPS-TFT LCDa-Si보다 전자이동도가 100배 이상 높고, 유리기판에 주변구동회로를 동시에 제작할 수 있다.시스템 통합 목표를 달성하고 공간을 절약하며 IC 비용을 절감합니다.
동시에 드라이버 IC 회로가 패널에서 직접 생산되기 때문에 부품의 외부 접촉을 줄이고 신뢰성을 높이고 유지 관리가 용이하며 조립 공정 시간을 단축하고 EMI 특성을 줄인 다음 응용 시스템 설계를 줄일 수 있습니다. 시간과 디자인의 자유를 확장합니다.
LTPS-TFT LCD는 1세대 System on Panel을 구현하는 최고의 기술입니다.LTPS-TFT LCD내장된 드라이버 회로와 고성능 영상 트랜지스터를 사용하여 고해상도와 고휘도 효과를 달성함으로써 LTPS-TFT LCD와 A-Si는 큰 차이를 갖게 되었습니다.
2세대 LTPS-TFT LCD는 아날로그 인터페이스에서 디지털 인터페이스로 회로 기술의 발전을 통해 전력 소비를 줄입니다. 이 세대의 온캐리어 이동성은LTPS-TFT LCDa-Si TFT의 100배에 달하며, 전극 패턴의 선폭은 약 4μm로 LTPS-TFT LCD에는 충분히 사용되지 않습니다.
LTPS-TFT LCD는 2세대보다 주변 LSI에 더 잘 통합됩니다. LTPS-TFT LCD의 목적은 다음과 같습니다.
1) 주변 부품이 없어 모듈을 더 얇고 가볍게 만들고 부품 수와 조립 시간을 줄입니다.(2) 단순화된 신호 처리로 전력 소비를 줄일 수 있습니다.(3) 메모리를 장착하면 전력 소비를 최소한으로 줄일 수 있습니다.
LTPS-TFT LCD는 고해상도, 높은 채도 및 저렴한 비용이라는 장점으로 인해 새로운 유형의 디스플레이가 될 것으로 예상됩니다. 높은 회로 집적도와 저렴한 비용의 장점으로 소형 및 소형 응용 분야에서 절대적인 이점을 갖습니다. 중형 디스플레이 패널.
그러나 p-Si TFT에는 두 가지 문제가 있다. 첫째, TFT의 턴오프 전류(즉, 누설 전류)가 크다(Ioff=nuVdW/L). 둘째, 고이동도 p-Si 재료를 제조하기 어렵다. 저온에서 넓은 면적을 가지며, 그 과정에서 어느 정도 어려움이 있습니다.
에서 파생된 차세대 기술입니다.TFT LCD.LTPS 스크린은 기존 비정질실리콘(A-Si)TFT-LCD 패널에 레이저 공정을 추가해 부품 수를 40% 줄이고, 부품 연결을 95% 줄여 제품 고장 가능성을 대폭 낮췄다. 170도의 수평 및 수직 시야각, 12ms의 응답 시간, 500nit의 밝기, 500:1의 명암비로 전력 소비 및 내구성이 향상되었습니다.
저온 p-Si 드라이버를 통합하는 세 가지 주요 방법이 있습니다.
첫 번째는 스캔과 데이터 스위치의 하이브리드 통합 모드입니다. 즉, 라인 회로가 함께 통합되고 스위치와 시프트 레지스터가 라인 회로에 통합되며 다중 주소 지정 드라이버와 증폭기가 평면 패널 디스플레이에 외부적으로 연결됩니다. 상속된 회로로;
둘째, 모든 구동 회로가 디스플레이에 완전히 통합되어 있습니다.
셋째, 구동 및 제어 회로가 디스플레이 화면에 통합되어 있습니다.
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게시 시간: 2023년 3월 21일
